Descripción
Memoria de almacenamiento Flash tipo NAND A5nm de 3 bits por celda
Capacidad 240 GB
Controlador Toshiba TC58NC00
Interfaz SATA III (6,0 Gbit/seg, retrocompatible con 3,0 Gbit/seg y ,5 Gbit/seg)
Velocidad máxima de transferencia 6,0 Gbit/seg
Tecnología de velocidad avanzada Tecnología SLC Write Cache
Compatibilidad para TRIM sí y requiere compatibilidad de SO
Cola de comandos nativa (NCQ) sí
Compatibilidad S.M.A.R.T sí
Recopilación de elementos no usados sí
Modo de solo lectura sí
MTTF 500 000 horas
TBW (carga de trabajo de resistencia de cliente especificada por las cargas de trabajo de resistencia de unidades de
estado sólido JESD29A) 60 TB
Temperatura en funcionamiento 0 °,C-65 °,C
Temperatura apagado -40 °,C-65 °,C
Consumo de energía en activo: 3,4 W typ.
sin actividad: 440 mW typ.
Dimensiones 00 x 69,85 x 7 (mm)
Peso 37,5 g
Rendimiento – Velocidad de lectura secuencial (medida con Iometer) Hasta 550 MB/seg
Rendimiento – Velocidad de escritura secuencial (medida con Iometer) Hasta 480 MB/seg
Rendimiento – Velocidad de lectura aleatoria (medida con CrystalDiskMark 3.0.3, 4kiB, QD32) Hasta 87 000 IOPS
Rendimiento – Velocidad de escritura aleatoria (medida con CrystalDiskMark 3.0.3, 4kiB, QD32) Hasta 82 000 IOPS